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深圳市驪微電子科技有限公司
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PN8782_20-30W氮化鎵PD快充芯片
所屬分類(lèi)：Chipown/芯朋微
品牌：芯朋微
型號(hào)：PN8782SX-A1，PN8782SX-B1
封裝：SOP7/PP
功率：20-30W
電流：
型號(hào)：PN8782SX-A1，PN8782SX-B1
封裝：SOP7/PP
功率：20-30W
電流：
訂購(gòu)熱線(xiàn)：0755-23087599
PN8782氮化鎵PD快充芯片內(nèi)部集成了電流模式控制器和高壓?jiǎn)?dòng)模塊以及高性能GaN FET，專(zhuān)用于高性能的快速充電開(kāi)關(guān)電源。
PN8782芯片根據(jù)輸入電壓、輸出電壓和負(fù)載自適應(yīng)切換QR-Lock Mode、PFM和Burst Mode，多模式調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了全負(fù)載范圍內(nèi)的高效率和低待機(jī)功耗,同時(shí)避免了開(kāi)關(guān)變換器進(jìn)入CCM模式工作，降低次級(jí)整流管的電壓應(yīng)力。頻率調(diào)制技術(shù)和Soft-Driver技術(shù)充分保證系統(tǒng)的良好EMI表現(xiàn)。內(nèi)置了線(xiàn)電壓補(bǔ)償模塊，提高了在全輸入電壓范圍內(nèi)的帶載能力一致性。
同時(shí)，PN8782芯片還提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能，包括輸入欠過(guò)壓保護(hù)、輸出過(guò)壓保護(hù)、輸出短路保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、次級(jí)整流管短路保護(hù)、逐周期過(guò)流保護(hù)、輸出過(guò)載保護(hù)、DMG電阻短路保護(hù)、CS開(kāi)路保護(hù)等功能。
PN8782氮化鎵PD快充芯片特點(diǎn)
■ 內(nèi)置高壓GaN FET和高壓?jiǎn)?dòng)電路
■ 供電電壓8~56V，適合寬輸出電壓應(yīng)用
■ QR-Lock技術(shù)提高效率改善系統(tǒng)噪聲
■ 空載待機(jī)功耗< 55mW @230VAc
■ 優(yōu)異全面的保護(hù)功能
輸入欠壓和過(guò)壓保護(hù)
輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)
VDD過(guò)壓保護(hù)(VDDOVP)
逐周期過(guò)流保護(hù)(OCP)
輸出短路保護(hù)(SCP)
DMG電阻短路保護(hù)
CS開(kāi)路保護(hù)
次級(jí)整流管短路保護(hù)(DSP)
輸出過(guò)載保護(hù)(OLP)
精確的過(guò)溫保護(hù)(OTP)
PN8782芯片封裝/管腳定義
| 管腳名 | 管腳標(biāo)號(hào) | 管腳功能描述 |
| HV | 1 | 高壓?jiǎn)?dòng)引腳，實(shí)現(xiàn)高壓?jiǎn)?dòng)和輸入欠壓和過(guò)壓保護(hù)功能 |
| CS | 2 | 高壓GaN FET源極，接外部采樣電阻;內(nèi)部電流檢測(cè)輸入引腳 |
| FB | 3 | 反饋輸入引腳，決定峰值電流參考和QR-Lock谷底數(shù) |
| DMG | 4 | 去磁引腳，通過(guò)外接電阻采樣輸出電壓和輸入電壓，實(shí)現(xiàn)波谷檢測(cè)、輸出過(guò)壓保護(hù)、輸入線(xiàn)補(bǔ)償功能 |
| GND | 5 | 地 |
| VDD | 6 | 供電電壓輸入引腳 |
| SW | 7 | 高壓GaNFET漏極 |
典型功率應(yīng)用
| 型號(hào) | 輸入電壓 | 密閉式條件 |
| PN8782SX -A1 | 85-265 VAC | 30W |
| PN8782SX -B1 | 85-265 VAC | 20W |
典型應(yīng)用電路圖
PN8782氮化鎵PD快充芯片是高頻準(zhǔn)諧振交直流轉(zhuǎn)換器，有PN8782SX-A1，PN8782SX-B1兩個(gè)型號(hào)，均采用SOP7/PP封裝，PN8782SX-A1+PN8307HSE-R1典型應(yīng)用于PD 20W氮化鎵充電器，PN8782SX-A1+PN8307HSE-A1典型應(yīng)用于30W PD氮化鎵充電器，廣泛應(yīng)用于手機(jī)充電器、適配器領(lǐng)域，更多PN8782_20-30W氮化鎵PD快充芯片產(chǎn)品手冊(cè)、電氣特性等方案資料請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
