65W氮化鎵GaN快充方案由PN8783、PN8307P套片組成，PN8783具有卓越的環路穩定性、高功率密度、低待機功耗等明顯優勢。PN8307P采用自適應死區控制，支持反激變換器的DCM/QR工作模式，實現同步整流。

　　

　　一、方案概述　　

　　■ 小尺寸設計：51mm(L)X29mm(W)X20mm(H)　　

　　■ 輸出規格：5V3A，9V3A，15V3A，20V3.25A　　

　　■ 高效率：滿載效率94.0%（230V），滿足CoC V5 Tier2能效規范　　

　　■ 低待機功耗：小于75mW　　

　　■ 寬供電范圍：支持PD3.0協議

　　

　　二、芯片特性　　

　　PN8783 內置高性能700V GaN FET，典型轉換效率大于93%；采用QR-Lock控制技術，大幅提高環路穩定性；最高支持500kHz工作頻率，可以有效減小變壓器及輸出電容體積，顯著提升充電器功率密度；內置800V高壓啟動管，待機功耗輕松滿足75mW；同時具有優異全面豐富的保護功能。

　　

　　PN8307P內置100V/7mΩ智能MOSFET，快速關斷+自適應死區控制提高MOSFET Rdson利用率，顯著降低溫升，專利輕載模式可降低待機功耗，具有超高性價比。

　　

　　三、DEMO實物圖　

　

　　65W GaN快充方案demo如上圖所示，尺寸僅為51mmx29mmx20mm，外圍精簡。

　　

　　四、原理圖（功率部分）

　　

　　五、效率測試

　　

　　六、空載待機功耗

　　

　　七、EMC測試　　

　　● EMI傳導、輻射滿足EN55032 Class B標準要求，裕量均大于6dB　　

　　● ESD滿足IEC 61000-4-2，8kV/15kV等級要求　　

　　● EFT滿足IEC 61000-4-4: 2004，4kV等級要求　　

　　● Surge滿足IEC 61000-4-5:2005，2kV等級要求　　

　　● 交流絕緣滿足3.75kVac要求。

　　

　　65W氮化鎵GaN快充方案PN8783+PN8307P，采用精準鎖谷底QR-Lock控制技術相比傳統QR，整體工作頻率更高、環路穩定性更佳，滿載效率94.0%（230V），待機功耗小于75mW，更多GaN快充方案規格、線路圖紙、變壓器設計、測試數據及應用要點等資料，請向芯朋微代理驪微電子申請。>>